داریوش سوری

در پژوهش حاضر، نانوبلورهای ZnSe:Cu و هسته-پوسته ZnSe:Cu@ZnS با درصدهای مولی مختلف ناخالصی مس با استفاده از یک رویکرد آبی-فوتوشیمیایی سریع و در دمای اتاق سنتز شدند. پوسته ZnS با استفاده از واکنشی مبتنی بر حساسیت نوری Na2S2O3 روی هسته های ZnSe رشد نمود. نانوبلورهای سنتز شده توسط طیف سنجی نوری UV-Vis مورد ارزیابی قرار گرفتند. گاف نواری انرژی نانوبلورهای مذکور در محدوده eV 6/3-4/3 بدست آمد که این مقدار با افزایش درصد ناخالصی، برای ZnSe:Cu کاهش و برای ZnSe:Cu@ZnS افزایش یافت. همچنین مشخص شد که اندازه ذرات در حدودnm 9/1می باشد و با افزایش درصد ناخالصی، برای ZnSe:Cu افزایش و برای ZnSe:Cu@ZnS کاهش می یابد. نتایج حاصل از انرژی اورباخ نشان داد که برای هر دوی نانوبلورهای ZnSe:Cu و هسته-پوسته ZnSe:Cu@ZnS، افزایش درصد ناخالصی منجر به کاهش کیفیت بلوری می شود.