در این مقاله لایههای نازک اکسید روی آلائیده با آلومینیومAZO) ) بر زیر لایههای شیشهای به روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم لایه نشانی شدهاند. اثر فشار گاز آرگون بر توپوگرافی سطح و چگالی نوری لایههای نازکAZO مورد ارزیابی قرار گرفت. توپوگرافی سطحی لایهها نشان میدهد با افزایش فشار گاز آرگون از تا ، پارامتر زبری از 60.62 به 8.013 نانومتر افزایش مییابد که این نتیجه نشان میدهد با افزایش فشار گاز آرگون اندازه نانو بلورک ها افزایش یافته است، همچنین چگالی نوری لایههای نازک AZO تا انرژی 8 الکترون ولت ثابت، سپس این پارامتر از انرژی 8 تا 803 الکترون ولت دارای شیب تندی میشود.
