لایه های نازک نانوساختار CdSe آلایش شده با نیکل در طول فرآیند رسوب گذاری که بر تغییرگذارهای (عبور) نوری حاکم است، بررسی شده اند. غلظت Ni به عنوان ناخالصی در داخل CdSe 0.03 مول به صورت نانوساختار لایه های نازک از طریق روش رسوب گذاری محلول شیمیایی ساده ساخته شده اند. اضافه کردن ناخالصی Ni به CdSe گذارهای جدید مربوط به NiSe در آن ایجاد می کند، به این معنی که غلظت ناچیز یون های Ni باعث ایجاد گذار جدید به CdSe می شود که نمونه دارای گاف نواری نوری متعددی است. اگر چه جذب ناشی از ناخالصی را می توان به عنوان جذب در ناحیه گاف نواری زیر سطح اصلی (باند به باند) در نظر گرفت، اما جذب ناشی از آلایش در لایه های نازک نانوساختار به اندازه جذب داخل گاف نواری نیست و انتقال نوری آنها نوار به باند است و دارای خطوط گسترده و قدرتمند در طیف های جذبی هستند. نظمی در تغییر گاف نواری با افزایش غلظت ناخالصی وجود دارد به طوری که افزایش یون های (Ni^(2+)) باعث کاهش گاف نواری نوری بهev 1.59 می شود، گاف نواری نوری برای CdSe در حالت حجیم ev1.74 است، بنابراین روش اضافه کردن ناخالصی، فاصله باند نوری CdSe را کاهش می دهد که به طور متوسط روش ناخالصی ساختار جدید را ایجاد می کند. انرژی اورباخ نمونه ها را می توان از طیف جذبی بدون نیاز به تعیین ضریب جذب از تعیین ضخامت لایه تعیین کرد.
