در این مقاله خواص ساختاری لایههای آمورف کربن نیکل ساخته شده از هدفهای گرافیتی با مقادیر مختلـف نیکـل از 87/1 تا 64/4 درصد مورد مطالعه قرار میگیرند. توپوگرافی در لایههای انباشت شده در 78/1 ،21/3 و 64/4 درصـد دارای یـک افت و خیزی حول یک نانومتر ولی در لایههای انباشت شده در 92/3 درصد دارای افت وخیزی حول 20 پیکومتر است. لایههـای انباشت شده در 92/3 درصد دارای کمترین مقدار سد پتانسیل در حدود 00031 ./الکترون ولت است. این لایههـا همچنـین دارای کمترین مقدار اندازه عرضی نانوذرات در حدود 40 نانومتر هستند. انباشت لایهها دارای یک فرآیند گـذار غیرفلـز-فلـز در 92/3 درصد است.
