لایه های نازک دی اکسید تیتانیوم با ضخامت 250 تا 500 نانومتر با استفاده از روش کندو پاش مغناطیسیDC روی زیر لایه شیشه تهیه شده اند.برای لایه نشانی از هدف فلز تیتانیوم به صورت ورق و گاز ترکیبی آرگون و اکسیژن و زیرلایه هایی با دماهای مختلف استفاده شده است.دستگاه پراش اشعه X (XRD) با توجه به شرایط مختلف لایه نشانی نمونه های آمورف و آناتاز را نشان داده است.نمونه های با دمای زیرلایه پایین تر ساختار آمورف ونمونه های با دمای زیر لایه 150 تا 400 درجه سانتی گراد فازکریستالی آناتاز را نشان داده اند. همچنین ارتباط اندازه دانه های سطح و زبری سطح با دمای زیر لایه مورد ارزیابی قرار گرفته است.