لایه رسانا و شفاف ITO به عنوان آند در ساختار سلول های خورشیدی آلی استفاده می گردد. محدودیت های اقتصادی این لایه، یکی از موانع تجاری شدن استفاده از سلول های خورشیدی آلی میباشد بنابراین، جایگزینی این لایه از اهمیت زیادی برخوردار است. در این مقاله اثرهای اپتیکی و الکتریکی جایگزینی ITO با لایه ی شفاف و رسانای AZO شبیهسازی گردید. مدلسازی الکتریکی- اپتیکی بر اساس تولید- نفوذ اکسیتون و جداسازی بار منتقل شده در سطح مشترک نیمرساناهای آلی نوع n و p می باشد. همچنین، توزیع میدان الکتریکی در داخل ساختار به صورت تابعی از ضریب شکست مختلط (پاشندگی) و ضخامت لایه محاسبه گردید. مقایسه نتایج شبیهسازی شده نشان داد که لایه ی ارزانتر AZO می تواند جایگزین مناسبی برای ITO باشد.
