در این مقاله، یک منبع بدون بایاس تراهرتز شبیه سازی گردیده است. در این منبع با استفاده از دو اتصال شاتکی نامتقارن بر روی لایه ای از جنس بلور GaAsرشد داده شده در دمای پایین، میدان داخلی لازم را ایجاد کرده ایم.با این کار نیاز به بایاس خارجی حذف میگردد، که یکی از مزایای این ساختار است. سپس با تابش یک پالس زمانی گوسی با عرض باریک و طول موج 800 nmبر روی نیمه هادی، باعث تولید حاملها درون منطقه فعال میشویم. باریک بودن این پالس سبب تولید فرکانس های بالا در جریان تراهرتز تولیدی میشود که این جریان متغیر با زمان نیز موجب تولید و انتشار میدان تراهرتز به سمت کف افزاره میگردد. بکار بردن این ساختار برای تولید پالس به جای موج پیوسته، با توجه به کاهش شدید اثرات دمایی ناشی از تابش پیوسته نور لیزر بر افزاره، و نیز امکان افزایش توان لیزر ورودی نسبت به موج پیوسته، موجب دستیابی به توانهای بیشتر گردیده و از طرف دیگر باریک بودن عرض پالس زمانی لیزر، موج تولید فرکانس های بالاتر و پهنای باند بزرگتر نسبت به موج پیوسته در موج تراهرتز خروجی میگردد. در این مقاله، شبیه سازی دو بعدی به روش عنصر متناهی انجام میشود.
