1403/08/26
مهدی رضایی صامتی

مهدی رضایی صامتی

مرتبه علمی: دانشیار
ارکید:
تحصیلات: دکترای تخصصی
اسکاپوس:
دانشکده: دانشکده علوم پایه
نشانی: دانشگاه ملایر، دانشکده علوم پایه، گروه شیمی کاربردی
تلفن: 32355404

مشخصات پژوهش

عنوان
برهم کنش گاز هیدروژن سیانید بر سطح نانولوله آلومینیوم فسفید خالص و جایگزین شده با اتم های بور و گالیم: از دیدگاه کوانتومی
نوع پژوهش
پایان نامه
کلیدواژه‌ها
جذب گازHCN، جایگزینی B, Ga، نانولوله آلومینیوم فسفید ، تئوری چگالی دانسیته
سال 1394
پژوهشگران مهدی رضایی صامتی(استاد راهنما)

چکیده

در این پروژه، به منظور کشف یک سنسور برای شناسایی مولکول سمی هیدروژن سیانید، برهمکنش نانولوله آلومینیوم فسفید حالت های آرمچیر (4،4) و زیگزاگ (8،0) در حالت های خالص و جایگزین شده با اتم های B و Ga ، با مولکول HCN مورد بررسی قرار گرفته شد، و برای برآورد ساختار بهینه ، انرژی جذب و خواص الکترونی از روش تئوری تابع چگالی در سطح B3LYP استفاده شده است. نتایج ثابت کرد که توصیف گر پارامتر های کوانتومی و پارامتر های NMR تأثیر جایگزینی را تشخیص می دهد. پارامتر CS نشان داد که در هر دو مدل (4،4) و (8،0) ، در بین همه اتم های Al و P ، اتم های که به طور مستقیم با اتم های B و Ga پیوند داده اند، به ترتیب دارای بیشترین و کمترین پوشش شیمیایی متقارن و نامتقارن است. همچنین توصیف گر پارامتر های کوانتومی نشان داد که جایگزین کردن اتم B بجای اتم P منجر به کاهش شکاف هومو-لومو، کاهش پایداری سنیتیکی و افزایش واکنش پذیری می شود، در حالی که جایگزینی اتم Ga بجای اتم Al تأثیر محسوسی بر تغییر پارامترهای کوانتومی ذکر شده ندارد. پس در مقایسه با دو حالت خالص و جایگزینی اتم Ga ، نانولوله جایگزین شده با اتم B واکنش پذیر تر است. طبق نتایج یافت شد که برخلاف حالت خالص و جایگزین شده با اتم Ga ، نانولوله در حالت جایگزینی اتم B به طور مؤثری با مولکول HCN وارد برهمکنش می شود، و بر همکنش HCN در حالت جایگزینی نسبت به حالت خالص و جایگزین شده با اتم Ga مطلوب تر است. در کل ما اطمینان داریم که جایگزین کردن اتم B ممکن است یک روش خوب برای بهبود حساسیت نانولوله نسبت به مولکول HCN باشد.