20 بهمن 1401
داريوش سوري

داریوش سوری

مرتبه علمی: استاد
نشانی:
تحصیلات: دکترای تخصصی / فیزیک ماده چگال
تلفن:
دانشکده: دانشکده علوم پایه

مشخصات پژوهش

عنوان
اثر زمان تابش مایکروویو بر گاف نواری، مرتبه گذار نوری، ضریب شکست، ثابت دی الکتریک و اندازه نقاط کوانتومی ZnSe و هسته-پوسته ZnSe@ZnSساخته شده به روش آبی-فوتوشیمیایی
نوع پژوهش مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها
هسته پوسته
سال 1399
پژوهشگران داریوش سوری

چکیده

در مطالعه حاضر، سنتز نقاط کوانتومی ZnSe توسط روش سبز فوتوشیمیایی در محیط آبی در دمای اتاق انجام شد. تیوگلیکلیک اسید (TGA) به عنوان عامل پوششی استفاده شد. سپس توسط تابش مایکروویو به مدت 6 دقیقه رشد یافت. پس از سنتز ZnSe، محلول استات روی و Na2S2O3 به آن افزوده شد. محلول آماده شده تنها به مدت 90 دقیقه در دمای اتاق در معرض تابش UV قرار گرفت و تشکیل ZnS پیرامون هسته ZnSe صورت گرفت. طیف جذبی فرابنفش - مرئی نمونه ها نشان می دهد که تابش مایکروویو منجر به جابه جایی لیه ی جذب به سمت طول موج های قرمز می شود. گاف نواری انرژی نقاط کوانتومی ZnSe و ZnSe@ZnS، با استفاده از روش مشتق انطباق طیف جذبی (DASF) به ترتیب حدود 50/3 و 61/3 بدست آمد. این مقادیر با تشکیل پوسته ZnS روی هسته ZnSe و همچنین با تابش مایکروویو، افزایش یافت که ناشی از افزایش اندازه ذره می باشد. برآورد مرتبه گذار نوری نشان داد که نمونه های سنتز شده دارای، ماهیت گاف مستقیم می باشند. در این کار، همچنین مشخص شد که ساختار هسته پوسته ZnSe@ZnS دارای ضریب شکست و ثابت دی الکتریک بیشتری نسبت به نقاط کوانتومی ZnSe می باشد.