27 مهر 1398
رعد چگل

رعد چگل

مرتبه علمی: دانشیار
نشانی: دانشگاه ملایر
تحصیلات: دکترای تخصصی / نانو اپتیک
تلفن: 09166615727
دانشکده: علوم پایه

مشخصات پژوهش

عنوان
بررسی اثرات میدان الکتریکی بر پذیرفتاری مغناطیسی نانوتیوپهای آلاییده شده
نوع پژوهش مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها
پذیرفتاری مغناطیسی، نانوتیوپ آلاییده، میدان الکتریکی
سال 1397
پژوهشگران رعد چگل ، جواد غلامی

چکیده

پذیرفتاری مغناطیسی کربن نانوتیوپ ها و برن نیترید نانوتیوپهای آلاییده شده در حضور میدان الکتریکی با استفاده از روش تابع گرین و در تقریب تنگ بست بررسی شده است. برن نیترید دارای گاف بزرگ بوده و در حضور میدان الکتریکی و ناخالصی کربن اندازه گاف کاهش می یابد. برای همه نانوتیوپها با افزایش دما، اندازه پذیرفتاری مغناطیسی افزایش یافته و به مقدار ماکزیمم خود می رسد. با اعمال میدان الکتریکی، شدت پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها افزایش می یابد. رفتار پذیرفتاری مغناطیسی با ناخالصی ارتباط مستقیم دارد و با افزایش درصد ناخالصی و شدت میدان، مقدار این پارامترها در بازه دماهای پایین افزایش می یابد.