در این تحقیق به بررسی اثر کاشت یون نیتروژن روی ساختار کریستالی و سطحی فیلم نازک اکسید مس پرداخته شده است. بدین منظور لایه نازک به ضخامت nm 150 به روش کندوپاش از جنس اکسید مس بر روی زیر لایه سیلیکون لایه نشانی شد. سپس، عمل کاشت یون نیتروژن با استفاده از شتابدهنده الکترواستاتیک با انرژی keV 50 به مدت3 ثانیه و با شار 14^10× 2 ذره بر سانتی متر مربع انجام شد. جریان اندازه گیری در این آزمایش با استفاده از دستگاه نمایه سنج و براش آن به تابع گاوسی در حد چند میلی آمپر به دست آمد. از نتایج آنالیزهای حاصل از XRD مشاهده شد که تعداد قله ها و ساختار بلوری تغییر کرده است. نتایج آنالیز SEM به هم ریختن ساختار سطحی بر اثر کاشت را نشان می دهد و همچنین از اندازه گیری پارامترهای ناهمواری AFM مشخص شد که لایه نازک اکسید مس بعد از کاشت یون یکنواخت تر شده و ناهمواری یا زمختی آن کاهش پیدا کرده است. با اندازه گیری گاف انرژی اکسید مس مشخص شد که پس از کاشت یون مقدار آن از eV 2/62 به eV 2/34 افزایش پیدا کرده است که می توان برای ساخت انواع حسگرها گاف انرژی آنرا تغییر داد.
