با توجه به اهمیتی که نسل جدید سلول های سیلیکونی لایه نازک دارند روشهای دام اندازی نور برجسته تر شده است. استفاده از لایه های ضد بازتاب یکی از روشهای بهبود عملکرد یک سلول می باشد. در این پژوهش بنابر تئوری مساله و محدودیت های فناوری، لایه های نیترید سیلیکون جهت لایه ضد بازتاب انتخاب گردید. سپس ضخامت این لایه با روش FDTD به گونه ای شبیه سازی شد که به ترتیب بتواند در طول موج های جداگانه nm 400،nm 600 و nm 800 کمترین بازتاب از سلول سیلیکونی لایه نازک (3 میکرمتر) را داشته باشد. در ادامه بواسطه ضریب جذبی سیلیکون و شدت طیفی AM1.5 خورشید، چگالی طیفی الکترون-حفره ایجاد شده در لایه فعال به ازای سه ضخامت قبلی به صورت جداگانه شبیه سازی شد. با استفاده از داده های قسمت قبلی و معادلات حاکم بر دینامیک حامل ها، منحنی J-V نمونه ها در قسمت الکتریکی این بررسی، شبیه سازی گردید. این محاسبات برای سلول بدون لایه ضدبازتابی ( سلول استاندارد) جهت مقایسه تکرار شد. نتایج الکترو-اپتیکی شبیه سازی نشان داد که ضخامت nm 73 با بیشترین مقدار جریان مدار کوتاه (mA/cm2 24.2)، مقدار بهینه ضخامت لایه ضد بازتابی است.
