در این مقاله، با استفاده از مدل تنگ بسط و فرمول کوبو-گرینوود، خواص گرمایی GeC تک لایه در حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است. در مرحله اول، با استفاده از نتایج محاسبات تابعی چگالی و تطبیق آنها با فرمولبندی تئوری، پارامترهای مورد نیاز مدل تنگ بسط برای ساختار GeC به دست آمده است.با استفاده از پارامترهای به دست آمده، رفتار تابع چگالی حالتها، ظرفیت گرمایی و رسانندگی گرمایی در حضور میدان مغناطیسی، بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که گاف انرژی این ساختار تحت تاثیر میدان قوی مغناطیسی کاهش یافته، اما تبدیل به فلز نمی شود. با بررسی خواص گرمایی بر حسب دما، نتایج نشان می دهد که این خواص ابتدا صفر بوده و سپس با افزایش دما، افزایش می یابند. میدان مغناطیسی باعث افزایش این خواص در بازه دمایی کوچک می شود و دلیل آن افزایش انرژی حاملهای بار می باشد. در مقایسه با گرافن، ساختار GeC، دارای خواص گرمایی کوچکتری می باشد.
