S-Graphene، یک آلوتروپ جدید از گرافن می باشد و در این مطالعه با استفاده از مدل تنگ بسط، ساختار نواری و رسانندگی الکتریکی آن در حضور میدان مغناطیسی، بررسی شده است.میدان های مغناطیسی خارجی، باعث ایجاد شکافتگی در ساختار نواری آن می شود به طوری که این شکافتگی با شدت میدان افزایش می یابد.افزایش دما حامل های بار را به نوارهای رسانایی تحریک می کند و منجر به افزایش خواص حرارتی S-Grafene می شود. نتایج نشان میدهند که خواص گرمایی در ساختار S-گرافن به شدت تحت تأثیر میدان مغناطیسی خارجی و پارامترهای پتانسیل شیمیایی است. این ساختار در غیاب میدان دارای پذیرفتاری خطی نسبت به دما است و با اعمال میدان و ناخالصی، مقدار آن به شدت افزایش می یابد.
