لایه های نازک کادمیم سلنید به روش رسوب حمام شیمیائی بر روی زیر لایه ی شیشه در محلول شیمائی با pHهای مختلف از pH=11/23 تا pH=12/20 تهیه شده اند. عوامل زمان رسوب گیری، دمای رسوب گیری و غلظت کادمیم 4/0 مولار و غلظت سدیم سلنو سولفیت 2/0 مولار در نظر گرفته شده اند. گاف انرژی لایه های نازک CdSe با استفاده از طیف جذبی مرئی- فرابنفش تعیین شد. گاف انرژی ازeV Eg=2/37 برای pH=11/23 تا Eg=1/74 eVبرای pH=12/20 روند کاهشی داشته است. خصوصیات ساختاری و ریخت شناسی سطوح با پراش پرتو ایکس، میکروسکوپ الکترونی پویشی (SEM) و میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مطالعه شده است. همچنین ناهمواری سطوح با استفاده از آنالیز AFM برای نمونه های ساخته شده تعیین شد. مطالعات پراش پرتو ایکس ساختار مکعبی شکل با بیشترین شدت در جهت (1 1 1) را نشان داد. اندازه کریستال از D=2/8 nm برای pH=11/23 تا D=3/3 nm برای pH=11/90 افزایش پیدا کرده است و اندازه کریستال از D=3/3 nm برای pH=11/90 تا D=1/8 nm برای pH=12/20 کاهش یافته است. نتایج آنالیز AFM و SEM نشان می دهد که لایه های نازک از ذرات غیریکنواخت کروی پوشیده شده است. استوکیومتری و تغییر غلظت عناصر Cd و Se با ضخامت لایه ها در عمق نمونه بوسیله طیف سنجی پس پراکندگی رادرفورد بررسی شد. در pH=11/90 نسبت Cd به سلنیوم (Cd:Se) 1:1 است.