پذیرفتاری مغناطیسی کربن نانوتیوپ ها و برن نیترید نانوتیوپهای آلاییده شده در حضور میدان الکتریکی با استفاده از روش تابع گرین و در تقریب تنگ بست بررسی شده است. برن نیترید دارای گاف بزرگ بوده و در حضور میدان الکتریکی و ناخالصی کربن اندازه گاف کاهش می یابد. برای همه نانوتیوپها با افزایش دما، اندازه پذیرفتاری مغناطیسی افزایش یافته و به مقدار ماکزیمم خود می رسد. با اعمال میدان الکتریکی، شدت پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها افزایش می یابد. رفتار پذیرفتاری مغناطیسی با ناخالصی ارتباط مستقیم دارد و با افزایش درصد ناخالصی و شدت میدان، مقدار این پارامترها در بازه دماهای پایین افزایش می یابد.
