در این مقاله به بررسی اثرات زاویه فرودی و تعداد لایه‌ها بر مُد نقص در کریستال‌های فوتونی پرداخته می‌شود. در ابتدا با استفاده از ماتریس انتقال، توصیف رفتار امواج الکترومغناطیسی در داخل کریستال فوتونی با لایه نقص مَدّ نظر قرار می‌گیرد. سپس، اثرات مُد نقص برای سه کریستال فوتونی با لایه دی‌الکتریک‌های MgF2، SiO2 و SrTiO2 با استفاده از شبیه‌سازی مورد مطالعه واقع می‌گردد. از نتایج به دست آمده معلوم می‌شود که در کریستال فوتونی SrTiO2 تلفات در مد نقص نسبت به دو کریستال با لایه دی‌الکتریک MgF2، SiO2 کمتر است.
